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封装堆叠 (POP) 底部填充工艺 ...
摘要 近年来，电子行业的发展引入了多堆叠球栅阵列 (BGA)，以满足消费者对高性能和小尺寸芯片封装日益增长的需求。本研究重点是对使用材料坝法的封装堆叠 (PoP) 底部填充工艺进行了初步研究。底部填充工艺考虑使用高粘度类型的底部填充材料。在当前的实验工作中，由于 L 路径分配方法具有优势，因此选择了该方法，如前文所述。材料坝法用于防止底部填充材料向后移动并从分配区域流出。材料坝建在 PoP 封装周围。根据循环时间和横向搭接分析了底部填充工艺的有效性，这两个因素是材料选择的重要因素。实验结果表明，缓慢的底部填充流动可能导致材料在分配工艺仍在进行时快速硬化。这种情况限制了底部填充流动并在 PoP 封装中产生空隙。材料坝法成功增强了第 3 层和第 4 层堆叠封装的底部填充工艺。本研究旨在提供堆叠PoP封装的初步底部填充工艺，为微电子行业的工程师提供参考。关键词：堆叠PoP封装、底部填充工艺、L路径分配法、材料坝法、球栅阵列。
封装机制标准； FIPS 204，模块 - ...
该文档计划于20124年8月14日在联邦公报上发布，并在https://federalregister.gov/d/2024-17956上在线提供，以及https://govinfo.gov
P-WLCSP 先进封装助力下一代医疗设备应用
• FEOL 采用现成的代工工艺制造集成电路 • BEOL 采用 SoP 制造，具有超薄、灵活和背面功能 • 包括精密电阻器、电容器、电感器 • 能够包含灵活的光子硅波导（美国专利 9,733,428） • 堆叠金属层之间的高密度互连 • 精确的尺寸公差简化了 IC 键合和连接 • 半导体材料与硅 IC 的 CTE 相匹配 • 顶部和底部表面均具有高密度互连
ECE/MSE/ME 6776：微电子系统封装...
• 设备和系统封装基础：技术和应用，第 2 版，Rao Tummala；（可通过 GT 图书馆 [AccessEngineering 数据库] 在线获取） • 将通过期刊和会议论文集补充课程 课程概述：课程概述：在过去 60 年里，单片硅集成电路 (IC) 通过摩尔定律以前所未有的创新速度发展。在这 60 年的大部分时间里，电子封装扮演着“次要角色”——封装是为了实现简单的空间转换和片外互连布线。然而，这种情况已经改变。今天，先进封装和异构集成已经发展成为摩尔定律下一阶段的关键推动因素。人们普遍认为，传统的单片集成已无法同时满足未来电子产品的性能、功率和成本需求，因此，催生了“先进封装”和“异构集成”这两个更为关键的领域。在本课程中，我们将探讨传统封装技术和基于 2.5D 和 3D 集成电路的新兴异构集成架构。本课程将探讨这些重要的新集成技术，并了解一些电气、热和热机械设计注意事项。鉴于当今 IC 设计和技术正在发生革命性的变化，课程材料非常及时且令人兴奋。评分：家庭作业：10%（根据努力程度评分）考试：两次课堂考试，每次 22.5%（总计 45%）项目：书面提案：30%
先进封装：关键生态系统和可靠性考虑因素
工艺图功能 % Cu 描述材料最终厚度第 1 层信号/GND 90 顶层铜 1.90 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 2 层电源 90 铜 1.00 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 3 层信号/GND 90 铜 1.00 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 4 层信号 25 铜 1.50 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 5 层 GND 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯 3.90 第 6 层信号 25 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 7 层 GND 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯线 3.90 第 8 层信号 25 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 9 层接地 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯线 3.90 第 10 层信号 25 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 11 层接地 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯线 3.90 第 12 层电源 90 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 13 层接地 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯线 3.90 第 14 层电源 90 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50第 15 层 GND 95 铜 1.00 Meg 7N 1078 预浸料 70% 4.10 第 16 层 电源 90 铜 1.00 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 17 层 GND 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯线 3.90 第 18 层 电源 90 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 19 层 GND 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯线 3.90 第 20 层 电源 90 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 21 层 GND 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯线 3.90 第 22 层 电源 90铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 23 层 GND 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯 3.90 第 24 层 信号 25 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 25 层 GND 95 铜 0.65 Meg 7N 1035 芯 3.90 第 26 层 信号 25 铜 0.65 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 27 层 GND 95 铜 1.50 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 28 层 RF 10 铜 1.00 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 第 29 层 GND 95 铜1.00 Meg 7N 1078 预浸料 70% 3.50 层 30 信号 25 底部铜 1.90
用于军事和航空航天的先进互连封装
Amphenol Backplane Systems 通过增值应用工程支持同时而非独立地解决诸如 PWB 布线、信号完整性、机械坚固性和可靠性等问题。解决复杂的封装挑战取决于确保在系统级解决环境、机械和电气因素。通过采用这种系统级视角并专注于这些因素，Amphenol Backplane Systems 能够满足您程序最具挑战性的封装要求。我们是您的设计团队的延伸，在每一步都提供专业的设计和应用工程协助，以确保程序成功。这是连接器供应商和其他背板组件供应商无法比拟的观点。
什么是表面贴装器件或 SMD 元件封装？
1、SMT组装密度高，电子产品可以设计得更小、更轻，因此电路板的体积也会变小，SMT元件的体积和重量只有传统普遍使用的插件元件的十分之一左右，电子产品经过SMT后体积缩小40%~60%，重量减轻60%~80%。2、可靠性高，抗震能力强，焊点不良率低。3、高频特性优良，减少电磁和射频干扰。4、易于实现自动化，提高生产效率，节省材料、能源、设备、人力、时间等，降低成本30%~50%。5、利用SMT技术，可以设计出更高端的产品，让电子产品应用到更多的领域，比如CPU、智能手机等。
面板级封装翘曲变形实验研究
§ 全帧测量技术，几秒钟内即可测量表面形貌 § 高点密度，每次采集 500 万个 3D 点 § 可扩展，标准测量范围从 10x12x3 [mm] 到 400x500x50 [mm]，并可定制 得益于独特的设计，多尺度分析允许在一个热曲线中使用不同的放大倍数对同一物体进行多次采集。因此，可以研究不同尺度对变形的影响 [2] — 例如，同时研究 WLP 级和中心/外围芯片。因此，TDM 技术已被确定为一种适合执行 PLP 翘曲测量的工具：在室温下，在热曲线期间，研究重力效应。
随机振动下多层功率模块封装行为分析
论文 [5] 提出了一种非线性和基于时域的分析模型，用于在统一振动机制下获得 SMP 的寿命。这项研究表明，对于弹性范围内的材料，振动频率越高，损坏程度就越大。然而，对于非弹性范围，低负载频率会在每个循环中对焊料造成更大的损害。此外，[6] 提出了一种热循环和动态振动负载对 SMP 的影响模型，该模型使用叠加规则，并分别针对这些影响获得焊料的疲劳寿命。这项研究表明，振动和热应变对焊料互连具有弹性和非弹性行为，在 SMP 的疲劳研究中应同时考虑，尤其是对于汽车和军事应用等移动系统。
封装器件 SiC 结的参数纳米电分析
摘要 — 在晶圆级上对电力电子器件芯片结构进行精确而准确的电气特性分析对于将器件操作与设计进行比较以及对可靠性问题进行建模至关重要。本文介绍了一种分立封装商用碳化硅 MOSFET 的二维局部电气特性参数分析。在横截面样品上，使用扫描电子显微镜 (SEM) 中的电子束感应电流 (EBIC) 来定位体二极管的 pn 结，评估电子束能量对该区域成像的影响。采用基于原子力显微镜 (AFM) 的扫描电容显微镜 (SCM) 分析封装碳化硅 MOSFET 器件的结区。提出了一种参数方法来揭示 MOSFET 中所有层的局部电气特性（n 型、p 型、掺杂 SiC 外延层的低、中、高掺杂水平以及 SiC 衬底和硅栅极）。本文的目的是揭示 EBIC 和 SCM 对 SiC 封装器件进行全面特性分析的潜力。研究了 SCM 采集期间施加的电压（V DC 和 V AC ）的影响，以量化它们对 MOSFET SiC 掺杂层分析的影响。尖端/样品纳米 MOS 接触的 TCAD 模拟支持纳米电气实验，以确认碳化硅芯片 AFM 图的掺杂水平解释。