机构名称：
¥ 1.0
主要活动和职责 以下学科的研讨会和实验室教学活动：电子器件、基础电子电路、微电子软件工具、计算机辅助设计技术 集成电路领域的研究活动： 1. I. Cimpian、OG Profirescu、A. Ungureanu、F. Babarada、E. Lakatos、C. Amza、MOSFET 模拟-TCAD 工具/包、CAS 2003 国际半导体会议论文集、Vol. 2，页235-238，10月2003； 2. F. Babarada、E. Lakatos、MD Profirescu、C. Amza、E. Manea、N. Dumbravescu 和 OG Profirescu，MOSFET 工艺优化和特性提取，CAS 2004 年国际半导体会议论文集，第 3 卷。 2，页319-322，10月2004； 3. OG Profirescu、F. Babarada、MD Profirescu、C. Ravariu、E. Manea、N. Dumbravescu、C. Dunare 和U. Dumitru，《MOSFET 电导建模（包括失真分析方面）》，CAS 2005 国际半导体会议论文集，第 3 卷。 2，页439-442, 2005； 4. F. Babarada，MD Profirescu，C. Ravariu，A. Rusu，OG Profirescu，E. Manea，C. Dunare，《MOSFET 失真分析建模》，ICMNT'06，阿尔及利亚，2006 年； 5. F. Babarada, C. Maxim, C. Ravariu, I. Campian, OG Profirescu, MD Profirescu, E. Manea, N. Dumbravescu 和 C. Dunare, 微电子交互式远程学习, ICL'06, 菲拉赫 - 奥地利, 2006 年; 6. F. Babarada、MD Profirescu、C. Ravariu、OG Profirescu、E. Manea、N. Dumbravescu、C. Dunare 和V. Dumitru，《MOSFET 建模（包括失真分析的二阶效应）》，ASM 06，Rhodes-Greece，2006 年； 7. C. Amza、I Cimpian、MD Profirescu、OG Profirescu，《伪晶 HEMT 结构的集合蒙特卡罗模拟》，《CAS 2007 国际半导体会议论文集》，锡纳亚 - 罗马尼亚，第 15 卷。 2，页419-422, 2007； 8. V. Moleavin、MD Profirescu、OG Profirescu，《数字 IC 的电热仿真环境》，《CAS 2007 国际半导体会议论文集》，罗马尼亚锡纳亚，第 15 卷。 2，页493-496, 2007； 9. OG Profirescu、C. Dinca、C. Stanescu，《CMOS LDO 中的噪声》，CAS 2007 国际半导体会议论文集，IEEE 目录号。 07TH8934，页563-566，十月2007； 10. V.Moleavin、OG Profirescu、MD Profirescu，《数字集成电路的功能热模拟模型》，罗马尼亚科学院院刊，A 系列，第 15 卷。 9号1，页69-74, 2008；
Profirescu Ovidiu George - 欧洲通行证 CV
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