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原子层沉积 (ALD) 是一种基于气相化学过程顺序使用的薄膜沉积技术。大多数 ALD 反应使用两种化学物质，通常称为前体。这些前体以顺序、自限的方式一次一个地与材料表面发生反应。通过反复暴露于不同的前体，薄膜会缓慢沉积。ALD 被认为是一种用于生产非常薄的保形膜的沉积方法，可以在原子级控制膜的厚度和成分。ALD 是制造半导体器件的关键工艺，也是可用于合成纳米材料的工具集的一部分。
UMF 设备 – 原子层沉积系统
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