机构名称：
¥ 1.0
光子生物传感器的制造是在 200 毫米绝缘体上硅技术平台上实现的。虽然光子生物传感器是从晶圆顶部构造的，但微流体通道是通过背面释放工艺局部引入的，该工艺结合了干湿蚀刻。对于 760 µ m 厚的硅基板的局部背面蚀刻，采用了深反应离子蚀刻 (DRIE) 工艺和硬掩模，二氧化硅与硅的选择性非常高（SiO2:Si 选择性为 1:200）。这保证了对埋层氧化物 (BOX) 的严格控制。我们选择了 RIE 和湿蚀刻的组合来去除 BOX，因为如果仅使用 RIE，波导结构可能会受损。纯化学湿蚀刻的缺点是由于 BOX 的蚀刻速率低，工艺时间延长。图 1 a 显示了制造的光子传感器芯片。可以在其他地方找到制造过程的全面描述。7 – 9
SPIE 会议纪要
主要关键词
相关文件推荐
