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摘要：单晶半导体衬底上的外延和薄膜形成工艺直接实现了各种复杂的 III-V 异质结器件设计，因此决定了最终的电子或光电器件性能。III-V 异质结不仅包括结上掺杂剂种类变化的概念，更重要的是，还包括半导体晶体的变化，从而区分了 III-V 器件设计选项以及与硅基器件相比的伴随性能优势。最早的商业化实例是 AlGaAs/GaAs 结，它利用能带隙差异来设计电荷载流子限制。GaAs 的带隙比 AlGaAs 窄，并且可以通过精确控制 Al 的成分来“调整”AlGaAs 的带隙。数十年的研究已经导致整个半导体光谱中 III-V 异质结化合物的开发；元素周期表的 III 列中的 B、Al、Ga 和 In，以及 V 列中的 N、P、As 和 Sb。该演讲将深入探讨 III-V 外延和薄膜沉积技术、关键工艺考虑因素、异质结挑战和局限性等主题，并提供对未来机遇的看法。
2024_BCICTS-高级计划草案-08.14.JP_MDR.pdf
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