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蚀刻工艺有助于去除晶圆表面的材料，使用抗蚀剂材料和离子技术根据光掩模图案对晶圆进行塑形。离子技术的惊人精度对于确保电路的完整性和功能性至关重要。此外，抗蚀剂材料可保护晶圆表面的某些区域免受离子轰击，并充当蚀刻剂。掺杂技术用于通过在晶圆表面引入杂质来改变半导体的电性能。通过添加特定杂质，可以改变半导体的电导率，这对于晶体管的形成至关重要。最常用的掺杂方法之一是离子实施。除了掺杂之外，还采用退火来确保掺杂剂的质量并修复在晶体级造成的任何结构损坏。
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