机构名称：
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［11］，文献中缺乏关于 ICL 器件性能如何依赖于层结构参数变化的讨论和研究，这可能使一些人持怀疑态度。通过对源电池和基底进行非常稳定的温度控制，可以将结构偏差降至最低。即便如此，由于 ICL 结构中采用的 III - V 族材料范围以及生长它所需的时间长度，合金成分和层厚度的一些意外变化是不可避免的。在本文中，通过研究由两个结构无意中与设计有很大偏差的 ICL 晶圆制成的器件，我们评估了器件性能特征在多大程度上能够承受无意的结构变化。此外，我们证明即使与设计有很大偏差，器件性能仍然可以相当好。需要注意的是，我们报告的 ICL 耐久性并不一定适用于 QCL，因为 QCL 的快速声子散射时间在皮秒量级（甚至更短）。由于这与载流子带内渡越时间相当，因此 QCL 中的粒子数反转条件更具挑战性。相比之下，对于 ICL，带间跃迁时间在纳秒量级 - 比导带或价带中的声子散射时间和带内渡越时间长三个数量级。因此，ICL 中的两个带间跃迁态之间可以很好地建立粒子数反转，而不必像 QCL 那样依赖于不同带内状态之间微妙的能级排列和快速声子介导的耗尽效应
检查带间级联激光器对结构
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