这种新型 ICL 激光器能够高效工作,覆盖从 2 μm 以下到 11 μm 以上的大范围中红外波长 [2-8] 。此外,近年来,这种激光器已经在商业上可用 [7],用于化学传感、成像和工业过程控制等实际应用。尽管如此,它们仍然价格昂贵,供应商很少,交货时间相对较长。部分原因是 ICL 的 Sb 基 III-V 材料和相关器件制造技术不太成熟,而且与更成熟的 InP 和 GaAs 基材料体系相比,Sb 基材料的生长资源有限。因此,与其他半导体激光器(如带内量子级联激光器(QCL)[9] )相比,在 ICL 开发上投入的努力非常有限。ICL 的许多方面尚未探索或仍处于早期阶段。
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