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摘要：在本文中，全系统地研究了批量SI底物上垂直堆叠的水平栅极全面（GAA）Si Nanosheet（NS）晶体管的优化。首先优化了NS通道的释放过程以实现均匀的设备结构。对于具有不同GESI厚度（5 nm，10 nm和20 nm）或退火温度（≤900°C）的GESI/SI堆栈样品，GESI/SI堆栈样品的GESI与Si层的选择性湿法超过100：1。此外，通过实验和仿真仔细研究了地下平面（GP）掺杂对改善设备电气特性的影响。随着GP掺杂剂量的增加，N型设备的子阈值特征得到了极大的改善。然而，最初改善了P型设备，然后随着GP掺杂剂量的增加而恶化，它们证明了最佳的电气特性，GP掺杂浓度约为1×10 18 cm -3，这也通过技术计算机辅助设计（TCAD）模拟结果证实。最后，首先在散装基板上制造了4个具有6 nm厚度和宽度30 nm的GAA SI NS通道，并且堆叠的GAA SI NS设备的性能达到了较大的I ON/I ON/I OFF率（3.15×10 5）（3.15×10 5）和SubThreshrold Swings Swings（Subthresshord Swings（ss ss s）（ss s）（71）（71）（71）（71）（71）和较小的值。通过优化寄生通道和装置结构的抑制，漏排水引起的屏障降低（DIBL S）（9（n）/22（p）mV/v）。
在古兰经和
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