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𝑅(𝑇)=𝑅0[1 +𝑇(𝑇−𝑇0)](1)其中r 0是参考温度t 0处的电阻,而tα是温度系数。图。1(b)。少数低电阻细胞转化为金属的传导机制。RRAM阵列中的电导与神经网络中的代表权重成正比22。因此,通过将RRAM细胞随机编程为八个不同的电导,从直观地检查了电导漂移,如图1(c)。可以观察到电导分布在300K处非常紧密,并且随着温度升高而变得更宽。随着电导的增加,相邻电导之间的重叠发生在较低的温度下,这显着降低了神经形态计算的准确性。

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