机构名称：
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β -ga -ga 2 O 3具有8 mV/cm的高度有希望的临界电场，与其他宽带镜头材料相比，具有改进穿孔的设备[1，2]。从熔融和超过10μm的表现层生长的4英寸晶片，这些层由卤化物蒸气相增长的外观层和高度可控制的掺杂浓度生长，铺平了垂直功率设备的方式。β -ga 2 O 3社区始终提高了高于SIC或GAN优于SIC或GAN的平均批判性电场，这适用于900 V超过900 V [1]的中/高压基础设施。垂直β -GA 2 o 3功率电子近年来取得了巨大进步，例如各种表面/界面工程，各种边缘终止，准内式垂直晶体管等。
Vertical β-Ga2O3 power electronics
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