图1:来自Operando XCT的实验设计和选定图像。(a)操作XCT细胞设计,成像和图像重建过程的示意图。(b)在0.5 mA CM -2电流密度,10 MPa堆栈压力和25°C下,在Operando XCT实验中循环的硅半细胞的电静态电压谱图。XCT图像是在第一次锂化之前和之后收集的,然后在划界和重新构度期间每15分钟收集一次。(c)从XCT数据中重建单元堆的3D渲染,突出显示了不同的2D切片。(d)垂直横截面图像显示了(i)原始的硅/LPSC界面,(ii)锂化,(iii)界定,(iii)截然不见,(iv)重新列为较高的状态,false-Color叠加层,突出显示了(I)中的硅和LPSC。(E-G)平面图像来自(e)锂化,(f)删除和(g)重新列为的硅电极中点的平面图像。
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