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ToF-SIMS 使用脉冲初级离子束(Bin+、Cs+、Ar+ 等)撞击样品表面并引发碎裂级联。结果是中性粒子、次级离子 (+/-) 和电子从样品的前几个单层中解吸。然后可以将次级离子加速到“飞行管”中,并通过测量它们到达探测器的确切时间来确定它们的质量
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