Loading...
机构名称:
¥ 1.0

开发微电子电路时,一个常见的设计范例是“标准单元”的概念。由于 PMOS 和 NMOS 晶体管在集成电路上的制造方式,微电子电路设计人员将每种晶体管类型放在自己的行中会很有帮助。由于 PMOS 晶体管的源极通常连接到正电源轨或另一个 PMOS 晶体管的漏极,因此将所有 PMOS 放在顶行很有帮助(见图 2)。相反,NMOS 晶体管的源极几乎总是连接到另一个 NMOS 的漏极或接地。这就是为什么 NMOS 晶体管总是在底部的原因。

LAB03:MOSFET 实验室 - andrew.cmu.ed

LAB03:MOSFET 实验室 - andrew.cmu.edPDF文件第1页

LAB03:MOSFET 实验室 - andrew.cmu.edPDF文件第2页

LAB03:MOSFET 实验室 - andrew.cmu.edPDF文件第3页

LAB03:MOSFET 实验室 - andrew.cmu.edPDF文件第4页

LAB03:MOSFET 实验室 - andrew.cmu.edPDF文件第5页