摘要:本文介绍了一种具有片上高压生成的全集成高压 (HV) 神经刺激器。它由一个神经刺激器前端和一个开关电容器 DC-DC 转换器组成,前者可提供高达 2.08 mA 的刺激电流,分辨率为 5 位,后者可生成 4.2 V 至 13.2 V 的可编程电压,分辨率为 4 位。该解决方案采用标准 180 nm 1.8 V/3.3 V CMOS 工艺设计和制造,占用有效面积为 2.34 mm 2 。电路级和模块级技术(例如建议的高合规电压单元)已用于在低压 CMOS 工艺中实现高压电路。使用电极-组织界面电气模型进行的实验验证表明:(1)神经刺激器可以处理比该技术标称电源高出 4 倍的电压供应,(2)在整个刺激电流范围内,残余电荷(无被动放电阶段)低于 0.12%,(3)可以在 0.9 V 的电压降下输送 2 mA 的刺激电流,(4)在最大刺激电流下获得 48% 的总功率效率。