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到达输入端的信号通过由 C1 和 L1 组成的 L 网络路由到 GaAsFET 的栅极。器件的源极由 R1 保持在地电位以上，从而产生适当的栅极-源极电压。.01 uF 电容器将射频源接地。宽带铁氧体变压器用于匹配漏极电路并为 GaAsFET 提供低阻抗负载。正电源线通过 .001 uF 馈通电容器以保持有效屏蔽。串联二极管保护前置放大器免受意外施加反极性电压的影响。78L05 为 GaAsFET 提供稳定的 5 伏电源，并保护器件免受电源瞬变的影响。
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