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了解电热 SiC 功率 Mosfet 在短路等极端异常操作中的行为是认证的主要需求，尤其是对于关键或长寿命应用。但模拟电子元件中的短路非常困难，因为我们需要一个完全电热的多物理模型。我们还需要模拟顶部铝电极的熔化。我们使用“表观热容量”方法来模拟这种熔化，该方法考虑了潜热和熔化过程中所需的吸收能量。因此，本文首次提出了一个数值有限元模型，该模型在 2D 中完全模拟了 SiC 功率晶体管在短路状态下的动态电热行为。与现有的 1D 模型相比，该模型的几何精度提供了显着的附加值。
短路中 SiC Mosfet 的瞬态热二维有限元分析 ...
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