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机构名称:
¥ 1.0

2 /𝑎1,带有𝑎1= 2.5×2 = 0.8 𝜆 𝜆。所有波导壁都被视为PEC边界,而𝜆 𝜆是NZI频率下的自由空间波长。(b) - (d)时间平均poynting载体场(𝐒𝐒,功率流)的实际部分的幅度和矢量图,将其标准化为其入射对应物,对于(b)𝛿 = 0(b)𝛿 = 0(无损耗),(c)𝛿 = 0.01,和(d)𝛿 = 0.1。这些数值结果表明,功率流的幅度在有损耗的EMNZ介质中表现出指数衰减。然而,归一化的矢量分布在耗散阻尼的情况下具有鲁棒性,并且在此处研究的参数范围内保留了涡度的不存在。所考虑的损失因素是NZI介质的超材料实现的现实性,包括色散波导和全dielectric光子晶体,以及一些最高质量的连续培养基,例如硅碳化硅(SIC),其特征在于𝜀 =𝑖=𝑖0.03。但是,基于掺杂的半导体的其他实现(例如基于掺杂的半导体)表现出更高的损失𝜀 = 𝑖0.2〜0.5。

接近零数介质作为电磁理想流体

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