机构名称：
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我们表明，由于（中）轴向异常，暗物质轴或轴突状颗粒（ALP）沿沿外部磁场的导体自发交替交流电流，从而意识到手性磁效应（CME）。我们提出了一个新的实验，以测量该电流以检测暗物质轴或ALP。这些诱导的电流是电子培养基效应，与轴突或ALP偶联与电子成正比，这取决于其显微镜物理。在实验设置中，一个由于CME引起的电流和真空电流的总和，这是由于异常的轴突耦合而导致的。与后者相比，CME电流通常是电子速度的一个因子，除非轴突或ALP偶联与电子的偶联比其与光子偶联以补偿Fermi速度抑制。但是，我们发现重新利用当前操作和计划的轴突卤素可能具有良好的敏感性来探测CME电流。
NAMBU – JONA-LASINIO模型中的正则化效应
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