机构名称：
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我们介绍并分析了扩展的哈伯德模型，其中，在一个方形的晶格上，在半频段填充的方形晶格上，考虑了地点库仑相互作用以及交错的局部电势（SLP）。使用Hartree-fock近似以及Kotliar和Ruckenstein Slave Boson形式主义，我们表明该模型在SLP的有限值下使用电荷订单（CO）以及联合旋转和电荷调制（SCO），而旋转密度波（SDW）仅稳定下来，以用于旋转SLP。我们确定其相位边界以及依赖SLP的顺序参数的变化，以及现场和最近的邻居相互作用。CO和SCO相共存的域，适用于电阻开关实验。我们表明，当采取零-SLP限制时，新型的SCO会系统地变成更常规的SDW相。我们还讨论了在零和有限温度下不同相变的性质。在前一种情况下，没有连续CO到SDW（或SCO）过渡。相反，顺磁性相（PM）伴随着朝向自旋或电荷有序相的连续相变，位于有限温度下。证明了与数值模拟的良好定量一致性，并进行了两种使用方法之间的比较。
半填充的扩展哈伯德模型的自旋和电荷调制
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