机构名称：
¥ 1.0
摘要。催化冷凝器稳定电荷在高K介电膜的任一侧，以调节催化层的电子状态，以用于对表面反应的电子控制。在这里，碳溅射提供了用于快速，大规模制造的工业应用所需的金属碳催化冷凝器。碳膜在HFO 2介电/P型Si上被溅射，其厚度不同（1、3、6、10 nm），并且在400°C下热处理后碳厚度增加后，观察到电导率和碳膜电容的增强。在PT沉积在碳膜上后，PT催化冷凝器的高电容率为〜210 nf/cm 2，其频率约为1,000 Hz，满足了动态催化剂以实现催化催化剂的需求。温度编程的一氧化碳的解吸产生的CO吸收峰在温度下移动，其电势施加在冷凝器（-6 V或6 +V）（-6 V或6 +V）上，表明PT冷凝器表面上碳一氧化碳的结合能的变化。在400°C的升高温度下观察到电容（约2,000 nf/cm 2）的电容（约2,000 nf/cm 2），当应用10 V电势时，每个金属原子的电荷约为10％。42 cm 2面积PT/C/HFO 2/Si的大型催化冷凝器表现出9,393 NF的高电容，泄漏电流/电容电流比（<0.1）低，表明了宽敞的金属制造方法，用于金属型碳酸金属型制度型持久性。
制造大区域 - 碳催化 -
主要关键词
相关文件推荐
