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摘要X射线光电子光谱（XPS）分析技术已广泛应用于半导体制造和故障分析。我们将其用于晶圆制造中的缺陷分析和薄膜表征，并将其用于铜材料的XPS价状态分析。XPS技术也与TOF-SIMS技术共同应用。在晶圆厂，半导体和LED制造中，测量纳米仪范围内超薄膜的厚度非常具有挑战性。通常，TEM被广泛用于超薄薄膜物理测量，但通常其横向尺寸受到限制。在本文中，我们将研究X射线光电子光谱分析技术，该技术采用角度分析技术采用新的分析方法。此外，我们还将新方法应用于Sion膜的分析。在约1.4nm处测量超薄薄膜是实现的。此方法可用于SIO 2厚度测量，在AU上进行自组装的硫醇单层和硅底物上HFO 2的厚度。
XPS-Technique and opplication-in-Thickness-
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