机构名称：
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在两个半导体之间具有不同类型的掺杂类型的半导体之间的静电仪，是P - N交界处的核心，这是几种电子和光电设备后面的基础，包括校正二极管，光电探测器，光载体 - 诸法索尔细胞以及光 - 发光二氧化碳。1超出了由外延半导体生长制造的传统设备，二维材料的出现（2D材料）引起了人们对范德华P - N交界原型的兴趣。2 - 5虽然这些设备尚未与传统的半导体进行典型应用的效率，但范德华（Van der Waals）具有简化的优势，并且在材料选择方面具有可观的实验性原型。取决于特定c成分的属性，p - n连接
可扩展合成高质量的，氧化石墨烯的氧化石墨烯比较大的C/O比及其在化学修饰的聚酰亚胺基质中的分散剂用于电磁干扰屏蔽应用
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