机构名称：
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在VACUUM（10-3 PA）和Argon（200 pa）大气层中，在200-550°的温度范围内，在200-550°的温度范围内，在200-550°的温度范围内，通过DC磁铁溅射在SI（100）基板上沉积在Si（100）基板上沉积的Na-Nioscale Ni/Cu/C薄膜的结构和相形的过程。使用同步加速器和COP-辐射X射线衍射（XRD）和次级离子质谱法（SIMS）分析了真空和AR大气中相组合的扩散传质以及相位的变化。由于CU和Ni原子的扩散迁移率随温度升高而导致研究间隔的升高，因此形成了具有不同Ni和Cu浓度的两个区域。晶粒边界和Cu和Ni扩散的大量机制以及热处理气氛的影响。如图所示，与氩气中的nealing相比，在真空气氛中退火会导致基于Cu-基固体溶液形成的发作温度升高100°C，而该固体溶液中Ni浓度的降低。因此，在真空退火时，薄膜在温度范围内保持热稳定性，与氩气退火相比。
AR退火对...
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