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抽象应力调节各种记忆系统的活性，从而可以以自适应或适应不良的方式指导与环境的行为相互作用。在细胞水平上，大量证据表明，急性应激暴露引起的（NOR）肾上腺素和糖皮质激素释放会影响突触功能和突触可塑性，这是学习和记忆的关键基础。最近的证据表明，在网络中稀疏分布的神经元在大脑中支持记忆，称为Engram细胞集合。虽然应力对突触的生理和分子影响越来越充分地表征，但这些突触修饰如何塑造Engram Cell集成的多尺度动力学仍然知之甚少。在本综述中，我们讨论并整合有关急性应力如何影响突触功能的最新信息，以及这可能如何改变Engram Cell集成及其突触连接以塑造记忆力强度和记忆精度。我们在压力下提供了一个突触ENGRAM的机械框架，并提出了出色的问题，以解决我们对压力引起的记忆调制基础机制的理解时知识差距。
通过压力来塑造记忆：突触Engram透视
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