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f纳克技术大学，丹麦技术大学物理系，丹麦2820 G材料学院，太阳YAT-SEN大学，广州510275，H中国H中心微型/纳米电子中心（Novitas），电气和电子工程学院，电气和电子工程学院，Nanyang技术大学CNRS/NTU/THALES，UMI 3288，研究技术广场，637553，新加坡†相同的贡献 *相应的作者。Karen Chan：kchan@fysik.dtu.dk; pingqi gao：gaopq3@mail.sysu.edu.cn; Hong Li：ehongli@ntu.edu.sgKaren Chan：kchan@fysik.dtu.dk; pingqi gao：gaopq3@mail.sysu.edu.cn; Hong Li：ehongli@ntu.edu.sg
钼中稳定硫空位的合理设计...
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