机构名称：
¥ 3.0
1）来自A. vasilescu（inpe bucharest）和G.lindström（Univ。汉堡）2）P.J.Griffin等人，Sand92-0094（Sandia Natl。实验室93），私人。comm。1996 3）Konobeyev，Alexander Yu。等。“核数据研究在辐照材料的损伤下，核子的能量高达25 GEV。” 4）Huhtinen，M。和P. A. Aarnio。“ pion诱导硅设备中的位移损伤。” 5）Summers，G。P.，E。A. Burke，P。Shapiro等。“暴露于伽马，电子和质子辐射的半导体中的损伤相关性。” https://doi.org/10.1109/23.273529。6）Huhtinen，M。“模拟硅中的非离子能量损失和缺陷形成。” https://doi.org/10.1016/s0168-9002(02)01227-5。7）Gurimskaya，Yana等。“用质子和中子照射的P型EPI EPI硅垫二极管的辐射损伤。” https://doi.org/10.1016/j.nima.2019.05.062。
WP1.4。硅探测器的表征和模拟
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