机构名称：
¥ 1.0
SIC是（Opto）电子应用的发展场中的关键组成部分，尤其是SIC-ON-ON-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-on-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-on-On-On-On-On-On-On-On-On-On-siC底物可以开发创新的光子应用和电气开关的新设备。因此，SICOI的制造引起了极大的关注，并且已经在1200°C以上的温度下进行了证明。为了维持互补的金属 - 氧化物 - 氧化型兼容性并避免埋入的SiO2层的扩散，需要低于1200°C的工艺温度。在项目的最后几个月中，FAU在1120°C在SI和SOI底物上通过CVD制造3C-SIC的FAU取得了显着结果。使用带有非水冷却的内部设置的水平冷壁CVD反应器实现了3C-SIC的外延生长。硅烷和丙烷在氢气中稀释，用作硅和碳源的前体气体。对SI底物进行了各种测试后，与高于1200°C的温度相比，由于较低温度下的碳种类分裂的降低，因此选择了6.8的C/Si比为6.8。底物之间的唯一区别是扩展冷倒入周期，这对于防止外延层从SOI底物中分层是必要的。
第4个Sicomb通讯
主要关键词
相关文件推荐
