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World File Search System光刻胶
SU-8 2000 永久负性环氧光刻胶
SU-8 2000 是一种高对比度、环氧基光刻胶，专为微加工和其他微电子应用而设计，这些应用需要厚实、化学和热稳定的图像。SU-8 2000 是 SU-8 的改进配方，多年来已被 MEMS 生产商广泛使用。使用干燥速度更快、极性更强的溶剂系统可提高涂层质量并提高工艺产量。SU-8 2000 有 12 种标准粘度。单次涂覆工艺即可实现 0.5 至 >200 微米的薄膜厚度。薄膜的暴露部分和随后的热交联部分不溶于液体显影剂。SU-8 2000 具有出色的成像特性，能够产生非常高的纵横比结构。SU-8 2000 在 360 nm 以上具有非常高的光透射率，这使其非常适合在非常厚的薄膜中对近垂直侧壁进行成像。 SU-8 2000 最适合于在设备上成像、固化并保留的永久应用。
通过先进的过滤技术调节 EUV 光刻胶中的缺陷率
EUV 光刻技术是解决先进技术节点关键尺寸的主流技术，目前处于 18nm 及以下的范围内 [1]。EUVL 首次应用于制造领域，利用的是化学放大光刻胶 (CAR) [2]。在 ArF 和 ArF 浸没式光刻中，CAR 的过滤（无论是在本体还是在使用点 (POU)）已证明对减少微桥起着重要作用，主要是通过去除硬颗粒和凝胶 [3-6]。对于 ArFi，EUV 带来了新的挑战，不仅要达到所需的线条粗糙度、灵敏度和分辨率，还需要大幅减少线条塌陷、微桥和断线等缺陷。在这项研究中，它展示了利用新型 POU 过滤来调节微桥和实现卓越启动行为的能力，这两者对于实现大批量制造的 EUVL 都至关重要。在由 TEL CleanTrack LITHIUS Pro-Z 和 ASML NXE:3400B 组成的 imec EUV 集群上测试了不同的 POU 过滤器。通过测量冲洗溶剂体积与 19nm 大小的缺陷之间的函数关系来评估启动性能，结果表明可以快速达到稳定的基线。使用市售光刻胶进行的光刻实验旨在降低晶圆缺陷率，实验结果一致表明，在 16nm L/S 测试载体上，光刻胶显影后 (ADI) 和光刻胶蚀刻后 (AEI) 微桥显著减少。讨论了膜物理固有设计和新型清洁对 POU 设备的影响。关键词：EUV 光刻、微桥、POU 过滤
用于紫外、激光和电子束光刻的负性光刻胶
主要应用 • 通过 DLW 进行快速非接触式原型设计 • 微系统技术中的光学应用 • 用于湿法和干法蚀刻工艺的蚀刻掩模 • 用于电镀的模具 • 用于印章制造/模板制造的模具
下一代 IC 技术的非化学放大光刻胶的最新进展
Satinder K. Sharma 于 2002 年获得印度西姆拉喜马偕尔邦大学物理学 (电子科学) 硕士学位，2007 年获得印度库鲁克谢特拉大学电子科学系博士学位。2007 年至 2010 年，他是印度坎普尔印度理工学院 (IIT) 坎普尔分校 CHE 系纳米科学 DST 部门的博士后研究员。2010 年至 2012 年，他在印度阿拉哈巴德印度信息技术学院 (IIIT) 电子与微电子系任教。自 2012 年起，他一直在印度理工学院 (IIT) 曼迪 (喜马偕尔邦) 计算机与电气工程学院 (SCEE) 任教。他目前的研究兴趣包括微纳米电子电路设计、聚合物纳米复合材料、传感器、光伏和自组装。
利用非透明模具通过紫外辅助热压印对 SU-8 光刻胶进行微结构化
在本研究中，我们探索了一种通过使用不透明模具（如镍模具）进行热压印在 SU-8 光刻胶中形成图案的快速低成本工艺。该工艺的主要障碍之一是，未固化的 SU-8 即使在接近室温下也具有极好的可成形性，但由于模具不透明，样品在压印过程中无法暴露在紫外线下，因此会导致压印图案在脱模期间和脱模后坍塌。为了解决这个问题，用紫外线、热量和 O 2 等离子体对未固化的 SU-8 光刻胶进行预处理以控制其可成形性，并应用于热压印测试，以在复制保真度方面相互比较。结果，在给定的压印条件和模具尺寸下，用紫外线预处理 8 秒的 SU-8 样品产生最佳复制质量，并且我们可以在没有石英模具的情况下成功复制 SU-8 光刻胶中的微图案。与传统的 UV 压印工艺相比，该工艺具有模具成本更低、脱模更容易、气泡更少等潜在优点。2008 Elsevier BV 保留所有权利。
