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Daniel Durini 博士目前是 INAOE 微电子和辐射探测领域的终身研究科学家 B（相当于教授）。2019 年 9 月至 2024 年 1 月期间，他担任该研究所的研发总监。他于 2002 年获得墨西哥国立自治大学电气电子工程学士学位，2003 年获得 INAOE 微电子硕士学位，2009 年获得德国杜伊斯堡-埃森大学微电子博士学位。2004 年至 2013 年期间，他就职于德国杜伊斯堡的弗劳恩霍夫微电子电路与系统研究所 (IMS)，在过去四年中，他领导了一个团队，致力于开发用于高性能光电检测设备、像素结构和成像器的特殊 CMOS 工艺模块。在担任现职之前，他曾在德国于利希研究中心中央工程、电子和分析研究所 ZEA-2 - 电子系统部任职，2015 年至 2018 年初期间，他负责开发专用于科学应用的探测器系统（闪烁探测器）。他撰写和合著了 90 多篇科学出版物，并在 CMOS 图像传感器和辐射探测器领域拥有六项专利（和两项专利申请）。他是 IEEE 高级会员，自 2014 年起成为墨西哥国家研究人员系统 (SNI) 的成员。
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