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摘要 提出了一种用于快速检测IGBT去饱和短路的自适应消隐时间（SABT）电路。在IGBT正常开通或发生负载故障（FUL）时，通过检测IGBT集电极-发射极电压V CE 的变化来实现消隐时间的确定；而当IGBT发生硬开关故障（HSF）时，通过检测栅极电压V GE 来确定消隐时间。利用UMC 0.6μm 700V工艺进行仿真表明，提出的SABT电路能够快速检测FUL和HSF。与传统消隐时间电路相比，SABT电路可以将FUL的故障检测时间从1.3μs缩短到35.5ns，而HSF条件下的故障检测时间从2.329μs缩短到294ns。 关键词：消隐时间，IGBT，去饱和短路保护 分类：功率器件与电路
一种用于快速IGBT De-...的自适应消隐时间电路
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