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摘要:单光子发射器的有效片上集成是光子集成电路在量子技术中应用的重大瓶颈。如果不是因为当前设备缺乏可扩展性,共振激发固态发射器正在成为近乎最佳的量子光源。目前的集成方法依赖于光子集成电路中成本低廉的单个发射器放置,这使得应用无法实现。一个有前途的可扩展平台基于二维 (2D) 半导体。然而,波导耦合 2D 发射器的共振激发和单光子发射已被证明是难以实现的。在这里,我们展示了一种可扩展的方法,使用氮化硅光子波导同时应变定位来自二硒化钨 (WSe 2 ) 单层的单光子发射器并将它们耦合到波导模式中。我们通过测量 g (2) (0) = 0.150 ± 0.093 的二阶自相关来演示光子电路中单光子的引导,并进行片上共振激发,得到 ag (2) (0) = 0.377 ± 0.081。我们的研究结果是实现可扩展光子量子电路中量子态的相干控制和高质量单光子复用的重要一步。关键词:二维材料、单光子发射器、光子集成电路、量子光子学、共振荧光、应变工程

波导耦合应变共振荧光

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