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开发具有窄槽的精确硒化铅 (PbSe) 光栅对于光谱、热成像和环境传感中使用的中红外 (MIR) 技术的发展至关重要。制造这些组件的主要障碍是，随着槽宽变小，蚀刻轮廓中的不规则性和反应离子蚀刻 (RIE) 延迟趋势会增加。本演讲指出，非导电光刻胶上电荷的积累是这些不规则性的主要来源。通过应用导电铜层，我们可以中和这种电荷，从而成功蚀刻轮廓显著增强且槽宽低至 0.7 μm 的光栅。这一突破不仅提高了 MIR 设备的灵敏度和分辨率，还为安全和医疗保健等领域的新应用铺平了道路。
离子荷电效应对提高反应活性的研究……
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