机构名称：
¥ 2.0
N.Gopalakrishnan 博士于 1997 年在钦奈安娜大学获得博士学位，研究方向为 III-V 族半导体的成核和生长动力学。获得博士学位后，他前往瑞典皇家理工学院进行博士后研究。后来，他在日本 KIT 和日本 AIST 从事博士后研究 3 年。他曾获得日本政府日本科学技术部颁发的著名 STA（即 JSPS）奖学金，在日本筑波 AIST 工作。他还曾在韩国东义大学担任博士后研究员一年半。自 2018 年 3 月起，他担任国家技术学院蒂鲁吉拉帕利分校 (NIT-T) 物理学教授。此前，他于 2007 年 9 月加入该大学担任助理教授，随后于 2010 年 9 月晋升为副教授。他还曾于 2012 年 10 月至 2015 年 11 月担任 NIT-T 副院长（学术），并于 2015 年 1 月至 2018 年 1 月担任物理系主任。N.Gopalakrishnan 博士在国际期刊上发表了约 87 篇研究论文，在国内和国际会议上发表了约 90 篇研究论文。在他的指导下，5 名学生完成了博士学位，43 名学生完成了硕士学位项目。目前，有 6 名学生在他的指导下攻读博士学位。N.Gopalakrishnan 博士在使用多种技术、VPE、MBE、PLD 和溅射生长 III-V 和 II-VI 薄膜方面拥有丰富的经验。此外，他的团队还致力于氧化物纳米材料的合成、自旋电子学、气体传感和水净化。最近，他的团队成功制造了 ZnO pn 结和基于 CuO 和 ZnO 的 IDE 传感器设备。除了在瑞典、日本和韩国进行博士后研究外，他还访问了美国、德国、香港、澳大利亚、德国和新加坡参加会议、科学讨论、实验室访问和发表受邀演讲。他在印度和国外发表了多次受邀演讲。
蒂鲁吉拉帕利国家技术学院
主要关键词
相关文件推荐
