摘要 - 基于锆钛酸铅(PZT)的铁电材料由于其强大的压电活性而被广泛用作传感器和执行器。然而,由于高处理温度,脆弱性,缺乏共形沉积以及与微电机械系统(MEMS)集成的可能性有限,因此它们的应用受到限制。关于2-D材料中的压电性的最新研究已经证明了它们在这些应用中的潜力,这本质上是由于它们的灵活性和与MEMS的整合性。在这项工作中,我们在无定形的氧化Si 3 N 4膜上沉积了几层石墨烯(FLG),并通过敏感的激光干涉测量法和严格的限定元素建模(FEM)分析研究了它们的压电反应。对FEM进行的模态分析以及与实验结果的比较表明
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