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摘要。已经讨论了频率噪声对多控制的Toffoli,Fredkin和Peres大门的正确操作的影响。在ISING模型的框架中,已经获得了无旋转半导体基质中核自旋一半原子的能量光谱,并确定了与这些门的运行算法相对应的允许的过渡。根据射频控制脉冲的控制量矩和参数的数量,研究了所获得的过渡的保真度。已经表明,Toffoli和Fredkin大门的正确操作不取决于控制量子的数量,而随着控制信号数量的增加,Peres Gate Fidelity显着降低。Larmor频率与交换相互作用常数的计算比率与其他研究的结果相对应。

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