机构名称：
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摘要。本文提出了一种基于覆盖 Si(001) 衬底的纳米结构 SiC 层的新型冷电子发射器。它们的主要优点是基于标准微电子级硅晶片的极其简单且经济高效的制造工艺，无需超高真空，也不需要复杂的化学沉积工艺或有毒化学品。它在一个技术步骤中集成了 SiC 生长和以纳米级突起形式对表面进行纳米结构化，这对阴极应用极为有益。一个简单的数学模型可以预测场发射电流密度和开启电场，这将允许实际的设备应用。根据我们的估计，可以从一平方厘米的阴极表面收集毫安范围内的发射电流，电场接近 10 7 V/m。因此，纳米结构 SiC 可以成为冷电子发射器的有前途的材料。
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