机构名称：
¥ 1.0
摘要在这封信中，我们提出了用于区域优化的自旋轨道磁性随机访问存储器（SOT-MRAM）的新结构。基于对SOT-MRAM布局的观察，即可以在水平方向添加金属线而不增加细胞区域，建议的设计优化了金属线路由方向以及偏向读取和写入操作的条件。与常规的SOT-MRAM（STT-MRAM）相比，该设计的设计使用45 nm CMOS技术实施，可实现42％（23％）的细胞区域减少。通过利用高自旋电流注入效率，提出的设计比STT-MRAM达到6.26倍的写入功率。此外，由于读取和编写当前路径，提出的设计可以独立优化每个路径，从而使读取功率较低7.69倍，而较高的读取磁性距离距离与stt-MRAM相比，该路径具有读写和写入操作的常见路径。关键字：MRAM，旋转轨道扭矩，区域优化分类：电子设备，电路和模块（硅，Com-pound半导体，有机和新型材料）
SOT-MRAM的区域优化设计
主要关键词
相关文件推荐
