摘要:我们研究了GA与Cu(001)表面和环境诱导的表面转移的初始阶段,以尝试阐明最近提出的Cu-Ga催化剂的表面化学,该催化剂最近提出了将CO 2氢化为甲醇的CO-GA催化剂。结果表明,GA在真空中沉积时很容易与Cu进行混合。然而,即使是气体环境中的氧气痕迹也会导致GA氧化,并形成二维(“单层”)GA氧化物岛,均匀地覆盖了Cu表面。在高度压力和温度下(0.2 MBAR,700 K),表面形态和GA的氧化状态保留在H 2中以及CO 2 + H 2反应混合物中。结果表明,在反应条件下,GA掺杂的Cu表面暴露了包括GAO X /CU界面位点在内的各种结构,必须考虑阐明反应机制。