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在纳米级CMOS过程中,随着特征尺寸的缩小,外在厚度会变细,这将导致Nell和Pwell的较高板电阻。因此,将距离(D1)从N +活性区域增加到NWELL/PWELL中的P +活性区域可以有效地扩大NWELL的电阻(Pwell)。图6显示了具有四个不同
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