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摘要 - 这项工作通过基于硅VIA的降温功率芯片开发了热模型的分析热模型，与发表的文献相比，其热路径截然不同。通过硅VIA的热扩散角度和横向热传递，以及其热应力对活动区域中载流子迁移率的影响。在三维集成电路中使用的传统一维热模型和有限元分析结果用于验证所提出模型的准确性。通过衬里厚度和粘结层厚度，相对于填充 - via半径，散装的Si厚度的温度升高。 可以发现，与仿真结果相比，提出的热模型比一维模型优于一维模型，这表明通过基于硅VIA基于基于硅VIA的三维整合电路的热管理有所改善。 索引项 - 直通式词，热模型，热机械可靠性，有限元分析相对于填充 - via半径，散装的Si厚度的温度升高。可以发现，与仿真结果相比，提出的热模型比一维模型优于一维模型，这表明通过基于硅VIA基于基于硅VIA的三维整合电路的热管理有所改善。索引项 - 直通式词，热模型，热机械可靠性，有限元分析
基于TTSVS的热缓解功率芯片
主要关键词
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