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使用所谓的TIM(热界面材料)层,裸露的Si表面或Si与Au底部金属化(如Gan-On-Si芯片系统中)的组装(如Gan-On-Si芯片系统中)仍然具有挑战性。大多数TIM基于Ag-Sinter的层[1,2]。使用基于Ag的TIM代替基于SN的焊料具有许多优势,特别是:a)基于Ag的基于Ag的糊状(以上100 w m -1 K -1)的导热率明显优于焊料(范围40-60 Wm -1 K -1)和b)通常的较薄[1-3]。TIM的性质在很大程度上取决于微结构参数,例如存在空隙和TIM层厚度。通常,我们可以期望较薄的层是更好的热性能。然而,在最近的一项研究[4]中,作者表明,键线厚度应在20°M至50°M之间。从机械和热性能的角度来看,这种厚度范围都是最佳的。层稀薄的层小于20°M的特征是结构内的主应力和菌株较高,这可能会导致其粘合剂或凝聚力衰竭。对于厚度高于50℃的接头,其热电阻超过了可接受的极限。

基于Ag的热接口材料,用于电源应用中的SI组装芯片

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