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摘要 - 静态随机记忆（SRAMS）是芯片行业不可或缺的一部分，由于其高性能和与CMOS技术的兼容性，占据了可观的记忆市场。传统的SRAM没有能力在电源后保留数据，从而阻止了它们在非易失性应用中的使用。本文提出了一种基于电阻RAM（RRAM）技术的新型非易失性SRAM（NVSRAM）设备。在单元格和内存阵列级别提出了SRAM与所提出的NVSRAM性能之间的比较。比较涵盖了几个指标，例如能源消耗，面积和静态噪声余量（SNM）。此外，这项工作提出了对RRAM变异性以及CMOS子系统变异性对NVSRAM性能的影响的深入分析。提出的结构表明，尽管有RRAM的可变性，但在稳定性和可靠性方面表现出了强大的NVSRAM性能。
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