图2。Ag NP阵列的电沉积。 （a）在包含0.25 mm Agno 3和250 mm kno 3的水溶液中以块状ITO电极（直径0.5 mm）获得的循环伏安图。 （b）示意图在单个沉积周期中描述探针位置，应用电位和电流。 红色虚线突出了周期中的重要事件：（1）检测探针样本接触，（2）应用阴极电位，（3）NP成核，以及（4）探针撤回和生长终止。 （c）示例在阵列制造过程中观察到的沉积瞬变，每个位置沉积了5个电荷。 使用〜1 µm移液器填充有0.25 mm Agno 3和0.25 mm kno 3的水溶液进行电沉积。 请注意，为了清楚起见，绘制了电流的负数。 （d）（c）中指示的瞬态视图。 在（e）和（f）中提供了制造阵列的光学和扫描电子显微镜图像。Ag NP阵列的电沉积。（a）在包含0.25 mm Agno 3和250 mm kno 3的水溶液中以块状ITO电极（直径0.5 mm）获得的循环伏安图。（b）示意图在单个沉积周期中描述探针位置，应用电位和电流。红色虚线突出了周期中的重要事件：（1）检测探针样本接触，（2）应用阴极电位，（3）NP成核，以及（4）探针撤回和生长终止。（c）示例在阵列制造过程中观察到的沉积瞬变，每个位置沉积了5个电荷。使用〜1 µm移液器填充有0.25 mm Agno 3和0.25 mm kno 3的水溶液进行电沉积。请注意，为了清楚起见，绘制了电流的负数。（d）（c）中指示的瞬态视图。在（e）和（f）中提供了制造阵列的光学和扫描电子显微镜图像。