机构名称：
¥ 3.0
引入缺陷，会导致随机DW运动和较高的临界电流密度71。（b）在拟议的概念中，FM层和p- W层通过低压（LP）和低功率沉积的W膜分开。插入该LP-W有望减少W堆栈的粗糙度和FM层中的缺陷。（c）样品代码表和沉积样品中每一层的厚度。（d）膜样品的强制性（h C）沿沿非平面方向施加的场进行测量。所有样品均显示PMA和H C是LP-W膜的最低，而HP-W的存在增加了H C。（e）不同薄膜的堆栈电阻率的图。〜120 cm的堆栈电阻率通常被认为是期72的基线。大多数样品显示出接近该基线的电阻率（请参阅补充部分S1.2和S2.3）。
超大的能量域墙设备用于自旋... -dr -ntu
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