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本文讨论了为下一代 K 波段 17.3 – 20.2 GHz 超高吞吐量卫星开发的单片微波集成电路 (MMIC) 功率放大器的设计步骤和实验特性。所用技术是商用的 100 纳米栅极长度硅基氮化镓工艺。该芯片的开发考虑到了航天器的严格约束，特别是仔细考虑了这种技术的热约束，以便在最坏情况下（即最高环境温度为 85°C）将所有器件的结温保持在 160°C 以下。基于三级架构的实现的 MMIC 首先在脉冲模式下进行晶圆上特性分析，随后安装在测试夹具中并在连续波工作条件下进行特性分析。在 17.3 – 20.2 GHz 工作带宽内，内置放大器提供输出功率 >40 dBm，功率附加效率接近 30%（峰值 >40%），功率增益为 22 dB。
适用于 Kb 和卫星通信的高效 10W MMIC PA
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