本文讨论了为下一代K频段17.3 - 20.2 GHz开发的整体微波集成电路(MMIC)功率放大器的设计步骤和实验表征。所使用的技术是硅工艺上的市售100 nm栅极长壳。考虑到航天器的苛刻约束,尤其是仔细考虑了这种技术的热约束,以保持所有设备的连接温度在最差的情况下(即,最高环境温度为85°C)。已实现的MMIC基于三阶段的结构,首先以脉冲制度进行了晶状体表征,随后将其安装在测试jig中,并在连续的波浪工作条件下进行表征。在17.3 - 20.2 GHz操作带宽中,构建的放大器可导致输出功率> 40 dbm,功率添加效率接近30%(峰值> 40%)和22 dB的功率增益。
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