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摘要：自首次报道 Si(001) 上外延氧化物沉积以来，硅上复合氧化物的集成一直是一个快速发展的研究领域，其中基础材料物理与集成电子、光学神经形态和量子计算以及传感等领域的巨大技术前景密切相关。尽管前景广阔，但依赖于硅和外延钙钛矿共集成的器件通常仅限于基本的平面几何形状，因为它们在制造方面存在实际问题。在本文中，我们通过开发一种无需晶圆键合即可生产高质量 Si(001)/TMO/Si(001) 异质结构的方法克服了这些长期存在的挑战，从而将复合氧化物和 Si(001) 直接三维集成到技术相关的平台中。我们详细介绍了异质结构的结构和化学特性，并讨论了制造它们的通用设计规则。我们的研究成果极大地扩展了基于 TMO 的可实际实现的集成设备的范围，并推动这类有前景的材料更接近实现其全部技术潜力。
功能氧化物和纳米材料的三维集成...
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