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最近，有报道称，通过采用新的器件架构，人们提出了几种提高MOTFT性能的策略，包括双栅极注入[28–30]、高k绝缘体[31–33]和半导体异质结构。[34–38]在这些策略中，不同MO的低维双层或多层异质结构提高了MOTFT中的载流子迁移率和驱动电流。[39,40]这些改进通常源于两个具有较大费米能差的半导体之间异质界面势阱内受限的自由电子。[41]然而，尽管这些方法值得关注，但可用组件材料和漏电流控制的局限性损害了该平台的保真度。[37,38]另一种提高性能的方法
易于获取的金属微岛阵列可用于高...
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