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现代电子系统依赖于具有纳米级特征尺寸的组件，这些组件的故障可能由原子级电子缺陷引起。这些缺陷可能会在更大的长度尺度上引发剧烈的结构变化，从而完全掩盖此类事件的起源。透射电子显微镜 (TEM) 是少数几个可以轻松获得原子分辨率成像的成像系统之一，使其成为对纳米级系统进行故障分析的主力工具。配备光谱附件时，TEM 擅长确定样品的结构和成分，但缺陷的物理表现与其对电子结构的影响相比通常非常微妙。扫描 TEM 电子束感应电流 (STEM EBIC) 成像可产生与电子结构直接相关的对比度，作为标准 TEM 技术提供的物理信息的补充。最近的 STEM EBIC 进展使得能够以高分辨率获得各种新型电子和热对比度，包括电导率映射。在这里，我们讨论了 STEM EBIC 电导率对比机制，并展示了其在故障和原始设备中映射电子传输的能力。
使用 STEM EBIC 进行高分辨率电导率测绘
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